某某工厂-专业生产加工、定做各种金属工艺品

　　九游会国际网址金融界 2024 年 7 月 23 日消息，天眼查知识产权信息显示，台湾积体电路制造股份有限公司申请一项名为“半导体器件及其形成方法“，公开号 CN8.3，申请日期为 2024 年 3 月。

　　专利摘要显示，用于形成半导体器件的方法和结构包括在介电层中形成开口以暴露源极/漏极区域。在一些实施例中，该方法还包括在开口中和源极/漏极区域上方沉积第一金属层。此后，在一些示例中，该方法还包括执行退火工艺以调节第一金属层的晶粒尺寸。在各个实施例中，该方法还包括在退火的第一金属层上方沉积第二金属层。在一些实施例中，第二金属层具有基本均匀的相。根据本申请的实施例，提供了半导体器件及其形成方法。