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华映科技申请IGZO-TFTLCD阵列基板制备方法及其结构专利减少成本及简化工艺并提高面板透过率九游会国际网址
发布时间:2024-07-05 16:22 来源:网络

  九游会国际金融界2024年7月2日消息,天眼查知识产权信息显示,华映科技(集团)股份有限公司申请一项名为“一种IGZO-TFTLCD阵列基板的制备方法及其结构“,公开号CN6.9,申请日期为2024年3月。

  专利摘要显示,本发明提供了一种一种IGZO‑TFT LCD阵列基板的制备方法及其结构,包括下述步骤:在玻璃基板上依次制备一栅极电极层、一第一绝缘层及一IGZO层;对部分IGZO层进行激光处理使其结晶导体化,让其作为像素电极层,未进行激光退火技术处理的IGZO层作为半导体层;对第一绝缘层进行开DC孔;源漏电极层与半导体层和像素电极层直接搭接,通过DC孔与栅极电极层搭接;对第二绝缘层和第一绝缘层进行开深孔使栅极电极层,形成PV孔;在第二绝缘层上制备一公共电极层,且公共电极层通过PV孔与栅极电极层搭接。本发明在于减少Mask工艺数量,节约成本及简化工艺;降低绝缘层总厚度,提高面板透过率;避免绝缘层开深浅孔工艺,减少金属过蚀刻及腐蚀风险。

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